鋁電解電容器的擊穿是由于陽極氧化鋁介質(zhì)膜破裂，導(dǎo)致電解液與陽極直接接觸。氧化鋁膜可能由于各種材料、工藝或環(huán)境條件而局部損壞。在外加電場的作用下，工作電解液提供的氧離子可以在受損部位重新形成氧化膜，從而對陽極氧化膜進(jìn)行填充和修復(fù)。但如果受損部位有雜質(zhì)離子或其他缺陷，使填充修復(fù)工作不完善，陽極氧化膜上會留下微孔，甚至可能成為通孔，使鋁電解電容器擊穿。陽極氧化膜不夠致密牢固等工藝缺陷，后續(xù)鉚接工藝不好時，引出箔上的毛刺刺破氧化膜，這些刺破的部位漏電流很大，局部過熱導(dǎo)致電容產(chǎn)生熱擊穿。陶瓷電容器品種繁多，外形尺寸相差甚大從0402（約1×0.5mm）。100uF電容生產(chǎn)廠家

內(nèi)部電極通過逐層堆疊，增加電容兩極板的面積，從而增加電容容量。陶瓷介質(zhì)是內(nèi)部填充介質(zhì)，不同介質(zhì)制成的電容器具有不同的特性，如容量大、溫度特性好、頻率特性好等等，這也是陶瓷電容器種類繁多的原因。陶瓷電容器基本參數(shù)：電容的單位:電容的基本單位是F(法)，此外還有F(微法)、nF、pF(微微法)。因為電容F的容量很大，所以我們通?？吹降氖荈、nF、pF的單位，而不是F。它們之間的具體轉(zhuǎn)換如下：1F＝1000000μF1μF=1000nF=1000000pF泰州軟端電容生產(chǎn)廠家MLCC的結(jié)構(gòu)主要包括三大部分：陶瓷介質(zhì)，內(nèi)電極，外電極。

如何抑制“嘯叫”現(xiàn)象：1.降壓電源通常有PWM和PFM工作模式。PWM模式下紋波小，在高負(fù)載功耗條件下使用。為了避免BUCK在PWM模式下充電電容的開關(guān)頻率引起的嘯叫，有些電源的開關(guān)頻率會刻意避開20hz~20Khz的開關(guān)頻率。2.當(dāng)電源處于輕載模式時，會間歇工作，間歇輸出幾個脈沖。這種間歇脈沖的頻率也可以被人耳聽到。因此，從電源或負(fù)載的角度來看，PFM工作時間歇脈沖的工作頻率應(yīng)進(jìn)行優(yōu)化，以避免嘯叫。3.另一種是隱藏狀態(tài)。在項目初期，系統(tǒng)往往不穩(wěn)定，負(fù)載在正常和低功耗模式之間反復(fù)切換，電源也很容易在PWM和PFM模式之間切換。這種切換的時隙也可能引起嘯叫，需要軟件優(yōu)化系統(tǒng)的穩(wěn)定性，避免負(fù)載工作模式的異常切換，避免嘯叫。

隨著頻率的升高，容抗下降、感抗上升，容抗等于感抗并相互抵消時的頻率為鋁電解電容器的諧振頻率，這時的阻抗比較低，只剩下ESR。如果ESR為零，則這時的阻抗也為零；頻率繼續(xù)上升，感抗開始大于容抗，當(dāng)感抗接近于ESR時，阻抗頻率特性開始上升，呈感性，從這個頻率開始以上的頻率下電容器時間上就是一個電感。由于制造工藝的原因，電容量越大，寄生電感也越大，諧振頻率也越低，電容器呈感性的頻率也越低。這就要求它在開關(guān)穩(wěn)壓電源的工作頻段內(nèi)要有低的等效阻抗，同時，對于電源內(nèi)部，由于半導(dǎo)體器件開始工作所產(chǎn)生高達(dá)數(shù)百千赫的尖峰噪聲，亦能有良好的濾波作用，一般低頻用普通電解電容器在10kHz左右，其阻抗便開始呈現(xiàn)感性，無法滿足開關(guān)電源使用要求。電容容量越大、信號頻率越大，電容呈現(xiàn)的交流阻抗越小。

鋁電解電容器是一種非常常見的電容器。鋁電解電容器應(yīng)用普遍：濾波；旁路功能；耦合效應(yīng)；沖擊波吸收；消除噪音；相移；下臺，以此類推。對于鋁電解電容器，常見的電性能測試有電容、損耗角正切、漏電流、額定工作電壓、阻抗等。失效分析案例中，有很多是關(guān)于鋁電解電容器失效的案例。鋁電解電容器常見的失效機(jī)理有哪些？1.泄漏在正常使用環(huán)境下，經(jīng)過一段時間的密封，可能會發(fā)生泄漏。一般來說，溫度升高、振動或密封缺陷都可能加速密封性能的惡化。漏電導(dǎo)致電容減小，等效串聯(lián)電阻增大，功耗相應(yīng)增大。泄漏使工作電解液減少，失去修復(fù)陽極氧化膜介質(zhì)的能力，從而失去自愈功能。此外，由于電解液呈酸性，泄漏的電解液會污染和腐蝕電容器和印刷電路板周圍的其他元件。電解電容器多數(shù)采用卷繞結(jié)構(gòu)，很容易擴(kuò)大體積，因此單位體積電容量非常大，比其它電容大幾倍到幾十倍。100uF電容生產(chǎn)廠家

陶瓷電容較坑的失效就是短路了，一旦陶瓷電容短路，產(chǎn)品無法正常使用，危害非常大。100uF電容生產(chǎn)廠家

共燒技術(shù)(陶瓷粉料和金屬電極共燒)，MLCC元件結(jié)構(gòu)很簡單，由陶瓷介質(zhì)、內(nèi)電極金屬層和外電極三層金屬層構(gòu)成。MLCC是由多層陶瓷介質(zhì)印刷內(nèi)電極漿料，疊合共燒而成。為此，不可避免地要解決不同收縮率的陶瓷介質(zhì)和內(nèi)電極金屬如何在高溫?zé)珊蟛粫謱?、開裂，即陶瓷粉料和金屬電極共燒問題。共燒技術(shù)就是解決這一難題的關(guān)鍵技術(shù)，掌握好的共燒技術(shù)可以生產(chǎn)出更薄介質(zhì)(2μm以下)、更高層數(shù)(1000層以上)的MLCC。當(dāng)前日本公司在MLCC燒結(jié)設(shè)備技術(shù)方面早于其它各國，不僅有各式氮?dú)夥崭G爐(鐘罩爐和隧道爐)，而且在設(shè)備自動化、精度方面有明顯的優(yōu)勢。100uF電容生產(chǎn)廠家