針對植入式**設備的長期**性問題，某生物電子實驗室利用 Polos 光刻機在聚乳酸（）基底上制備可降解電極。其無掩模技術避免了傳統(tǒng)掩模污染，使電極的金屬殘留量低于 0.01μg/mm?，生物相容性測試顯示細胞存活率達 99%。通過自定義螺旋狀天線圖案，開發(fā)出的可降解心率監(jiān)測器，在體內降解周期可控制在 3-12 個月，信號傳輸穩(wěn)定性較同類產品提升 50%，相關技術已進入臨床前生物相容性評價階段。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統(tǒng)等各個領域。該系統(tǒng)的經濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學研究實驗室以外的領域，為半導體和**公司提供了利用其功能的機會。用戶案例broad：全球超500家科研機構采用，覆蓋高校、研究所與企業(yè)實驗室。四川POLOSBEAM-XL光刻機

在tumor轉移機制研究中，某tumor研究中心利用 Polos 光刻機構建了仿生tumor微環(huán)境芯片。通過無掩模激光光刻技術，在 PDMS 基底上制造出三維tumor血管網絡與間質纖維化結構，其中血管直徑可精確控制在 10-50μm。實驗顯示，該芯片模擬的tumor微環(huán)境中，tumor細胞遷移速度較傳統(tǒng)二維培養(yǎng)提升 2.3 倍，且化療藥物滲透效率降低 40%，與臨床數(shù)據(jù)高度吻合。該團隊通過軟件實時調整通道曲率和細胞外基質密度，成功復現(xiàn)了tumor細胞上皮 - 間質轉化（EMT）過程，相關成果發(fā)表于《Cancer Research》，并被用于新型抗轉移藥物的篩選平臺開發(fā)。天津德國POLOS光刻機不需要緩慢且昂貴的光掩模環(huán)保低能耗設計：固態(tài)光源能耗較傳統(tǒng)設備降低30%，符合綠色實驗室標準。

形狀記憶合金、壓電陶瓷等智能材料的微結構加工需要高精度圖案定位。Polos 光刻機的亞微米級定位精度，幫助科研團隊在鎳鈦合金薄膜上刻制出復雜驅動電路，成功制備出微型可編程抓手。該抓手在 40℃溫場中可實現(xiàn) 0.1mm 行程的precise控制，抓取力達 50mN，較傳統(tǒng)微加工方法性能提升 50%。該技術被應用于微納操作機器人，在單細胞膜片鉗實驗中成功率從 40% 提升至 75%，為細胞級precise操作提供了關鍵工具。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統(tǒng)等各個領域。該系統(tǒng)的經濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學研究實驗室以外的領域，為半導體和**公司提供了利用其功能的機會。

SPS POLOS ?以桌面化設計降低設備投入成本，無需掩膜制備費用。其光束引擎通過壓電驅動快速掃描，單次寫入區(qū)域達400 ?m，支持光刻膠如AZ5214E的高效曝光。研究案例顯示，該設備成功制備了間距3 ?m的微圖案陣列和叉指電容器，助力納米材料與柔性電子器件的快速原型驗證。無掩模光刻技術可以隨意進行納米級圖案化，無需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒有任何妥協(xié)的情況下，將該技術帶到了桌面上，進一步提升了其優(yōu)勢?？蒲谐晒D化：中科院利用同類技術制備跨尺度微盤陣列，研究細胞浸潤機制。

Polos-BESM XL Mk2專為6英寸晶圓設計，寫入區(qū)域達155×155 mm，平臺雙向重復性精度0.1 ?m，滿足工業(yè)級需求。其搭載20x/0.75 NA尼康物鏡和120 FPS高清攝像頭，支持實時觀測與多層對準。配套的BEAM Xplorer軟件簡化了復雜圖案設計流程，內置高性能筆記本電腦實現(xiàn)快速數(shù)據(jù)處理，成為微機電系統(tǒng)（MEMS）和光子晶體研究的理想工具。無掩模光刻技術可以隨意進行納米級圖案化，無需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒有任何妥協(xié)的情況下，將該技術帶到了桌面上，進一步提升了其優(yōu)勢。柔性電子制造：可制備叉指電容器與高頻電路，推動5G通信與物聯(lián)網硬件發(fā)展。北京光刻機讓你隨意進行納米圖案化

柔性電子：曲面 OLED 驅動電路漏電降 70%，彎曲半徑達 1mm，適配可穿戴設備。四川POLOSBEAM-XL光刻機

無掩模激光光刻：科研效率的revolution性提升！Polos-BESM系列采用無掩模激光直寫技術，用戶可通過軟件直接輸入任意圖案，省去傳統(tǒng)光刻中掩膜制備的高昂成本與時間。其405 nm紫外光源和亞微米分辨率（most小線寬0.8 ?m）支持5英寸晶圓的高精度加工，特別適合實驗室快速原型開發(fā)。閉環(huán)自動對焦系統(tǒng)（1秒完成）和半自動多層對準功能，remarkable提升微流體芯片和MEMS器件的研發(fā)效率62。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統(tǒng)等各個領域。該系統(tǒng)的經濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學研究實驗室以外的領域，為半導體和**公司提供了利用其功能的機會。四川POLOSBEAM-XL光刻機