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半導體材料大爆發(fā),發(fā)出強國最強音

時間: 2021-07-13 21:21
字體大?。?

  大家都知道,半導體材料屬于我們國家卡脖子的產品,不是我們造不出來,而是我們起步太晚,不過我們從沒停下腳步,正在大跨步的前進。

科技股分支:半導體、光刻機、芯片;順周期船運,國防軍工潛伏

        6月17日午間,外媒突然傳出消息,中國將加強對美國的芯片競爭,支持芯片研發(fā)和制造項目,包括擬定一系列相關金融和政策扶持措施,幫助國內芯片制造商。據報道,該計劃已預留約1萬億美元的政府資金,其中一部分將由中央和地方政府共同投資一系列第三代芯片項目,項目內容還包括發(fā)展中國大陸本土芯片設計軟件和極紫外光(EUV)光刻機。盡管目前還沒有得到官方證實,但是資本市場已經開始反應,受消息刺激,當天半導體指數大漲6.9%,作為本次政策的核心,第三代半導體受到普遍關注。

  技術突破的新路徑

  第三代半導體中的“代”指的是半導體襯底材料的變化,并非指某一代更優(yōu)。,我們粗略介紹過半導體的產業(yè)鏈,主要包括IC設計、晶圓制造及加工、封裝及測試環(huán)節(jié),如果我們再向上游延伸,那么還可以加上襯底和外延環(huán)節(jié),其中襯底就是芯片的底層材料。

  第一代半導體材料主要是指硅(Si)、鍺(Ge)半導體材料,興起于二十世紀五十年代,被廣泛的應用于消費電子、通信、光伏、軍事以及航空航天等多個領域。目前,硅材料依然占據絕對主導地位,大多數的半導體器件及集成電路產品還是使用硅晶圓來制造,硅器件占到了全球銷售的半導體產品的 95%以上。

  第二代半導體材料是以砷化鎵(GaAs)、銻化銦(InSb)為主的化合物半導體,其主要被用于制作高頻、高速以及大功率電子器件,主要應用于衛(wèi)星通訊、移動通訊以及光通訊等領域。

  第三代半導體材料主要以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)為化合物半導體。在高溫、高耐壓以及承受大電流等多個方面具備明顯的優(yōu)勢,因而更適合于制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件,主要用于光電子器件、電力電子器件,和微波射頻器件。而對于在低功耗場景使用更廣泛的數字芯片來說,采用第三代半導體材料SiC和GaN不僅意義不大,還增加成本,所以數字芯片一直沿用一代半導體即硅基材料,同時,基于線寬縮小的技術迭代路線有望在2022年突破2nm,接近物理極限,而第三代半導體技術升級主要依靠新設計、新工藝和新材料的結合,是后摩爾時代半導體技術突破的新路徑。


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